Startpagina > Elektrotechniek > Actieve componenten > Gelijkrichters, transistors, diodes > Transistor > Power-transistor > Artikelnaam

ONSEMI FDC6561AN MOSFET, DUAL, NN, SUPERSOT-6

Aantal:

stuks

Productinformatie

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikelnr.:
5695-9844813

Merk:
onsemi

Fabrikantnr.:
FDC6561AN

EAN/GTIN:
geen gegevens

Zoekwoorden:

Power-transistor
MOSFET
MOSFET-transistor

Drain Source Voltage Vds N Channel 30 V Continuous Drain Current Id P Channel - Product Range - MSL MSL 1 - Unlimited No. of Pins 6 Pins Drain Source Voltage Vds P Channel - Continuous Drain Current Id N Channel 2.5 A Drain Source On State Resistance N Channel 0.082 ohm Channel Type N Channel Drain Source On State Resistance P Channel - Power Dissipation N Channel 960 mW Power Dissipation P Channel - Operating Temperature Max 150 °C Transistor Case Style SuperSOT Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)

... > Semiconductors - Discretes > FETs > Dual MOSFETs

Andere zoekwoorden: Discretes, Dual, FETs, MOSFETs, Semiconductors, ONSEMI, FDC6561AN, 9844813, 984-4813

Overzicht van de condities¹

Levertijd

Voorraad

Prijs excl. BTW

op voorraad

vanaf € 0,228*

Prijs geldt vanaf 50.000 stuks

alleen te bestellen in veelvouden van 5 stuks

Voorwaarden zelf selecteren

Aanbevelen

Toevoegen aan inkooplijst

Staffelprijzen

Bestelhoeveelheid	excl. BTW	incl. BTW	Eenheid

vanaf 5 stuks	€ 0,802*	€ 0,97042	per stuk
vanaf 50 stuks	€ 0,638*	€ 0,77198	per stuk
vanaf 100 stuks	€ 0,494*	€ 0,59774	per stuk
vanaf 250 stuks	€ 0,444*	€ 0,53724	per stuk
vanaf 500 stuks	€ 0,293*	€ 0,35453	per stuk
vanaf 1500 stuks	€ 0,288*	€ 0,34848	per stuk
vanaf 50000 stuks	€ 0,228*	€ 0,27588	per stuk