Assortiment
Account
Aanmelden/Registreren
Winkelwagen
 
 

VISHAY SIHD11N80AE-GE3 MOSFET, N-CH, 800V, 8A, TO-252


Aantal:  stuk  
Productinformatie
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikelnr.:
     5695-3517213
Merk:
     Vishay
Fabrikantnr.:
     SIHD11N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     geen gegevens
Zoekwoorden:
Power-transistor
MOSFET
MOSFET-transistor
Rds(on) Test Voltage 10 V Drain Source On State Resistance 0.391 ohm Product Range E No. of Pins 3 Pins Transistor Mounting Surface Mount Channel Type N Channel Continuous Drain Current Id 8 A Operating Temperature Max 150 °C Transistor Case Style TO-252 (DPAK) Drain Source Voltage Vds 800 V Power Dissipation 78 W Qualification - Gate Source Threshold Voltage Max 4 V SVHC To Be Advised
Andere zoekwoorden: Discretes, FETs, MOSFETs, Semiconductors, Single, VISHAY, SIHD11N80AE-GE3, 3517213, 351-7213
Overzicht van de condities1
Levertijd
Voorraad
Prijs excl. BTW
op voorraad op voorraad
vanaf € 0,684*
  
Prijs geldt vanaf 30.000 stuks
Voorwaarden zelf selecteren
AanbevelenToevoegen aan inkooplijst
Staffelprijzen
Bestelhoeveelheid
excl. BTW
incl. BTW
Eenheid
1 stuk
€ 2,54*
€ 3,0734
per stuk
vanaf 10 stuks
€ 1,435*
€ 1,73635
per stuk
vanaf 50 stuks
€ 1,305*
€ 1,57905
per stuk
vanaf 100 stuks
€ 1,228*
€ 1,48588
per stuk
vanaf 200 stuks
€ 1,188*
€ 1,43748
per stuk
vanaf 500 stuks
€ 1,042*
€ 1,26082
per stuk
vanaf 1000 stuks
€ 0,839*
€ 1,01519
per stuk
vanaf 5000 stuks
€ 0,834*
€ 1,00914
per stuk
vanaf 30000 stuks
€ 0,684*
€ 0,82764
per stuk
* Prijzen excl. BTW
Mercateo verkoopt uitsluitend aan zakelijke klanten.