|  |
| |
| Artikelnr.:
4988-2809298-BP Fabrikantnr.:
BC859B-AQ EAN/GTIN:
geen gegevens |
| | |
|
| | |
| BJT, SOT-23, 30 V, 100 MA, PNP Technische spec.: Behuizingssoort (halfgeleider): SOT-23 · Collector-emitterspanning U(ceo): 30 V · Collectorstroom I(C): 100 mA · DC stroomversterking (hFE): 290 · Montagewijze: Oppervlakmontage · Overige technische gegevens: Type: SMD behuizing: SOT-23 collector emitter spanning - VCEO: 30 V DC collectorstroom - IC: 100 mA polariteit - pool: PNP sperlaag temperatuur - Tjmax: 150 °C verliesvermogen - Ptot: 0.250 W collector basis stroomverhouding - hfe: 290 VCE: 5 V IC: 2 mA collector verzadiging spanning - VCEsat: 650 mV IC: 100 mA IB: 5 mA doorvoerfrequentie - ft: 100 MHz IC: 10 mA VCE: 5 V f: 100 MHz · Transitiefrequentie f(t): 100 MHz · Uitvoering (transistor): PNP · VCE verzadiging (max.): 650 mV · Vermogen (max.) P(TOT): 0.25 W Meer informatie: | | Inhoud: | 1 stuk(s) | Fabrikant: | Diotec | 01 Merk: | Diotec | Behuizingssoort (halfgeleider): | SOT-23 | Uitvoering (transistor): | PNP | Type (fabrikanttype): | BC859B-AQ | Montagewijze: | Oppervlakmontage | Collector-emitterspanning U(ceo): | 30 V | Collectorstroom I(C): | 100 mA | DC stroomversterking (hFE): | 290 | Bedrijfstemperatuur (max.): | 150 °C | Vermogen (max.) P(TOT): | 0.25 W | Transitiefrequentie f(t): | 100 MHz | VCE verzadiging (max.): | 650 mV | Conform RoHS: | Ja | Soortnaam: | Transistor (BJT) - discreet |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |